Descrição
O Infineon BSP129 é um transistor de efeito de campo (MOSFET) de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de chaveamento de alta eficiência.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 6.3 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 25 mΩ a Vgs = 4.5 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-SOT223 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 1.1 V a 2.5 V |
| Carga de Gate (Qg) | 5.6 nC a Vgs = 4.5 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 30 pF |
FAQ
Qual o tipo de transistor do Infineon BSP129?
O Infineon BSP129 é um MOSFET de Canal N.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP129?
A temperatura de operação do BSP129 varia de -55 °C a 150 °C.
Qual a tensão máxima Drain-Source e corrente contínua do BSP129?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é 30 V, e a corrente Drain Contínua (Id) máxima é 6.3 A.