Infineon BSP125H6327XTSA1: MOSFET de Canal N 600V 120mA
O BSP125H6327XTSA1 é um MOSFET de potência de canal N fabricado pela Infineon Technologies. Este componente eletrônico de alta qualidade oferece excelente desempenho e confiabilidade em uma variedade de aplicações, tornando-se a escolha ideal para projetos que exigem eficiência e robustez.
Especificações Técnicas do BSP125H6327XTSA1:
- Tipo de Canal: N-Channel
- Tensão de Ruptura Dreno-Fonte (V(BR)DSS): 600V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 120mA
- Potência Dissipada (Ptot): 1.8W
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 25Ω (típico)
- Tensão de Threshold da Porta (VGS(th)): 1.3V a 2.3V
- Encapsulamento: PG-SOT223-4
- Temperatura de Junção (Tj): -55°C a +150°C
Características Principais:
O MOSFET BSP125H6327XTSA1 da Infineon oferece uma série de vantagens que o tornam uma solução eficiente e confiável para suas necessidades de projeto:
- Alta Tensão de Ruptura: Suporta até 600V, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
- Baixa Resistência de Estado Ligado: Minimiza as perdas de energia e aumenta a eficiência.
- Encapsulamento Compacto: O encapsulamento PG-SOT223-4 economiza espaço na placa de circuito impresso.
- Ampla Faixa de Temperatura de Operação: Garante desempenho consistente em diversas condições ambientais.
- Confiabilidade Infineon: Beneficie-se da qualidade e reputação da Infineon Technologies.
Aplicações:
O BSP125H6327XTSA1 é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas
- Conversores DC-DC
- Circuitos de acionamento de motor
- Controle de iluminação
- Sistemas de gerenciamento de bateria
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Observação: As especificações técnicas podem estar sujeitas a alterações sem aviso prévio. Consulte a folha de dados do fabricante para obter as informações mais atualizadas.
A Mokka-Sensors não trabalha apenas com o Infineon BSP125H6327XTSA1 e você é muito bem vindo a conhecer os outros produtos do nosso catálogo!
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