Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em sistemas automotivos.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 3.2 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.1 V |
| Corrente Gate | Source Máxima (Igss): ±200 nA |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Encapsulamento | Halogen-free |
| Certificação Automotiva | AEC Q101 |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do MOSFET BSP125H6327XTSA1?
O BSP125H6327XTSA1 utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8 e é livre de halogênio.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP125H6327XTSA1?
O BSP125H6327XTSA1 pode operar em temperaturas que variam de -40 °C a +150 °C.
Quais são as principais características elétricas do BSP125H6327XTSA1?
O BSP125H6327XTSA1 é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 60 V, corrente Drain contínua (Id) de 100 A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 3.2 mΩ a Vgs = 10 V, tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V, tensão de limiar Gate-Source (Vgs(th)) de 2.1 V e corrente Gate-Source máxima (Igss) de ±200 nA. Ele também possui certificação automotiva AEC Q101.