Descrição
O Infineon BSP125 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento em baixa tensão.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 6.5 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 25 mΩ a Vgs = 4.5 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-SOT223 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | SMD |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 1.1 V a 1.7 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 300 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 30 pF (típico) |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon BSP125?
O Infineon BSP125 possui encapsulamento PG-SOT223, um encapsulamento SMD.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSP125?
O BSP125 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 150 °C.
Quais as tensões de operação do BSP125?
O BSP125 possui uma tensão Drain-Source (Vds) de 30 V, uma tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V e uma tensão de limiar Gate-Source (Vgs(th)) entre 1.1 V a 1.7 V.