Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, projetado para aplicações de gerenciamento de energia em automotivo.
Especificações
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
|---|---|
| Corrente Drain contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 2.2 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (VGS(th)): 1.5 V |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Certificação AEC | Q101 |
Recursos
- Tecnologia OptiMOS™ 5
- Operação em baixa tensão
- Baixa carga de gate
- Alta eficiência
- Adequado para aplicações automotivas
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor BSO220N03MDGXUMA1 pode suportar?
O transistor BSO220N03MDGXUMA1 suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de até 30 V.
Quais as principais características de desempenho do BSO220N03MDGXUMA1?
O BSO220N03MDGXUMA1 oferece alta corrente Drain contínua de 100 A, baixa resistência Drain-Source (RDS(on)) de 2.2 mΩ a Vgs = 10 V, e é construído com a tecnologia OptiMOS™ 5, permitindo alta eficiência em aplicações automotivas.
Em quais aplicações o BSO220N03MDGXUMA1 é comumente utilizado?
Projetado para aplicações automotivas, o BSO220N03MDGXUMA1 é adequado para gerenciamento de energia, com operação em baixa tensão, baixa carga de gate, e certificado pela AEC-Q101.