Módulo IGBT Infineon BSM75GD120DN2
Procurando por um módulo IGBT de alta performance para sua aplicação? Apresentamos o Infineon BSM75GD120DN2, um componente eletrônico de potência que oferece excelente desempenho e confiabilidade para uma variedade de projetos.
Especificações Técnicas do Infineon BSM75GD120DN2:
- Tecnologia: Si
- Configuração: Ponte Completa
- Coletor – VCEO máx. de voltagem do emissor: 1.2 kV
- Tensão de saturação do coletor – emissor: 2.5 V
- Corrente contínua do coletor a 25ºC: 103 A
- Corrente de dispersão do gate – emissor: 320 nA
- Pd – Dissipação de potência: 520 W
- Caixa / Gabinete: EconoPACK 3A
- Temperatura operacional mínima: – 40 C
- Temperatura operacional máxima: + 150 C
- Tensão do emissor do gate máxima: 20 V
- Estilo de montagem: Screw Mount
Aplicações do Módulo IGBT
O BSM75GD120DN2 é ideal para uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores solares
- Acionamentos de motor
- Soldagem
- Aquecimento por indução
- Sistemas de energia eólica
- Aplicações de tração
Benefícios do Infineon BSM75GD120DN2
Este módulo IGBT da Infineon oferece uma série de vantagens, como:
- Alta eficiência energética
- Baixas perdas de condução
- Excelente desempenho de comutação
- Robustez e confiabilidade
- Facilidade de uso
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