Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo integrado, projetado para aplicações de alta corrente e alta tensão.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.2 A |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Diodo de roda livre integrado
- Baixa indutância de chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo BSM75GB170DN2?
O módulo BSM75GB170DN2 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Qual a tensão de saturação típica do coletor-emissor do BSM75GB170DN2?
A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) típica do BSM75GB170DN2 é 2.2 V.
Quais as características do encapsulamento do BSM75GB170DN2?
O BSM75GB170DN2 é encapsulado em EconoDUAL™ 3 e possui um diodo de roda livre integrado, baixa indutância de chaveamento e alta densidade de potência.