Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 150 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ige) | 300 nA |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Tipo de encapsulamento | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.35 K/W |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BSM75GB120DN2?
O BSM75GB120DN2 utiliza o encapsulamento EconoDUAL™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?
A faixa de temperatura de operação do BSM75GB120DN2 é de -40 °C a 150 °C.
Qual a tensão do coletor-emissor e a corrente contínua do coletor do BSM75GB120DN2?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V, e a corrente contínua do coletor (Ic) é de 75 A.