Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 75 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Package | E-PACK 2 |
| Configuração | 1-half bridge |
| Temperatura de operação | -40°C a 150°C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, controle de motores |
Recursos
- Tecnologia IGBT NPT
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixa indutância de stray
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do BSM75GB120DN1E3204?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do BSM75GB120DN1E3204 é 1200 V.
Em quais temperaturas o BSM75GB120DN1E3204 pode operar?
O BSM75GB120DN1E3204 opera em temperaturas que variam de -40°C a 150°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do BSM75GB120DN1E3204?
O BSM75GB120DN1E3204 é indicado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e controle de motores.