Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Número de chaves | 6 |
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo BSM50GX120DN2?
O módulo IGBT BSM50GX120DN2 da Infineon suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM50GX120DN2?
A faixa de temperatura de operação do BSM50GX120DN2 é de -40 °C a +150 °C.
Quais as características do pacote e a quantidade de chaves do BSM50GX120DN2?
O BSM50GX120DN2 possui o pacote EconoDUAL™ 3 e possui 6 chaves IGBT. Ele também possui um diodo de roda livre integrado.