Infineon BSM50GP120

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Módulo IGBT Infineon BSM50GP120

Procurando por um módulo IGBT de alta performance para sua aplicação? Apresentamos o Infineon BSM50GP120, um componente eletrônico de potência que combina alta eficiência e velocidade de chaveamento, ideal para uma variedade de aplicações industriais.

Especificações Técnicas do Infineon BSM50GP120:

  • Tecnologia: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Configuração: Ponte completa (Full Bridge)
  • Tensão coletor-emissor (VCEO): 1200V
  • Corrente contínua do coletor (Ic): 50A
  • Dissipação de potência (Pd): 360W
  • Temperatura de operação: -40°C a +125°C
  • Encapsulamento: EconoPIM3
  • Montagem: Parafuso

Aplicações do Módulo IGBT BSM50GP120

O Infineon BSM50GP120 é um módulo versátil que pode ser utilizado em diversas aplicações, como:

  • Inversores de frequência
  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Controles de motor
  • Sistemas de aquecimento por indução
  • Soldagem
  • Aplicações de energia renovável, como energia solar e eólica

Benefícios do Infineon BSM50GP120

Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens, incluindo:

  • Alta eficiência: Perdas de condução e chaveamento reduzidas, resultando em menor consumo de energia.
  • Alta velocidade de chaveamento: Permite o controle preciso de correntes e tensões, ideal para aplicações que exigem resposta rápida.
  • Robustez e confiabilidade: Construído com materiais de alta qualidade e projetado para suportar condições de operação exigentes.
  • Facilidade de uso: O encapsulamento EconoPIM3 oferece uma solução compacta e fácil de integrar em seus projetos.

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