Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 300 mA |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Tipo de encapsulamento | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.4 K/W |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BSM50GD120DN2G?
O BSM50GD120DN2G possui encapsulamento EconoDUAL™ 3.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM50GD120DN2G?
A faixa de temperatura de operação do BSM50GD120DN2G é de -40 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do BSM50GD120DN2G?
As aplicações típicas do BSM50GD120DN2G incluem inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.