Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Package | E326 (Base Plate) |
| Configuração | 3-fase Ponte Retificadora |
| Temperatura de operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta eficiência
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixa indutância de chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão máxima suportada pelo BSM50GD120DN2E326?
A tensão coletor-emissor (Vces) máxima é de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o módulo pode operar?
O BSM50GD120DN2E326 opera em temperaturas de -40°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do BSM50GD120DN2E326?
Este módulo de potência é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, utilizando uma configuração de ponte retificadora de 3 fases.