Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de acionamento de motores e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Package | E3226 (Compacto e de alta densidade) |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, acionamentos de motores industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta densidade de potência
- Diodo de roda livre integrado com baixa perda de condução
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo BSM50GD120DN2E3226?
A tensão de coletor-emissor (Vces) suportada pelo módulo é de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o BSM50GD120DN2E3226 pode operar?
O BSM50GD120DN2E3226 pode operar em uma faixa de temperatura que varia de -40 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do BSM50GD120DN2E3226?
As aplicações típicas do BSM50GD120DN2E3226 incluem inversores solares, UPS (Sistemas de Alimentação Ininterrupta) e acionamentos de motores industriais.