Módulo IGBT Infineon BSM50GD120DN2E3226
Procurando por um módulo IGBT de alta performance para sua aplicação? Apresentamos o Infineon BSM50GD120DN2E3226, um componente eletrônico de potência que oferece excelente desempenho e confiabilidade.
Especificações Técnicas do Infineon BSM50GD120DN2E3226:
- Tecnologia de chip IGBT TRENCHSTOP™ 5 de última geração
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 50A
- Baixa resistência de condução (VCE(sat)) para reduzir perdas
- Tempo de desligamento curto para alta eficiência
- Diodo emissor rápido integrado com baixa recuperação reversa
- Encapsulamento compacto e robusto
- Isolamento de alta tensão
Aplicações do Módulo IGBT:
O BSM50GD120DN2E3226 é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores solares
- Condicionadores de energia
- Sistemas de acionamento de motores
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Benefícios do Infineon BSM50GD120DN2E3226:
Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens, como:
- Alta eficiência energética
- Excelente desempenho térmico
- Confiabilidade e robustez
- Fácil integração em seus projetos
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