Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de alta corrente e alta tensão.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 100 A |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Tipo de diodo de roda livre | Ultrafast |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de pinos | 7 |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.4 K/W |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSM50GD120DN2 suporta?
O módulo Infineon BSM50GD120DN2 suporta uma tensão do coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM50GD120DN2?
A temperatura de operação do BSM50GD120DN2 varia de -40 °C a 150 °C.
O BSM50GD120DN2 possui diodo de roda livre integrado?
Sim, o BSM50GD120DN2 possui um diodo de roda livre integrado do tipo Ultrafast.