Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de alta potência e frequência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 50 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.1 V (típico) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixa indutância de stray
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão do coletor-emissor do BSM50GB170DN2?
A tensão do coletor-emissor (Vces) do BSM50GB170DN2 é de 1700 V.
Quais são algumas aplicações típicas do BSM50GB170DN2?
O BSM50GB170DN2 é utilizado em inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM50GB170DN2?
A temperatura de operação do BSM50GB170DN2 varia de -40 °C a +150 °C.