Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) | 50 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 100 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT NPT
- Baixa Indutância de Gate
- Baixa Perda de Condução e Comutação
- Diodo de Roda Livre Integrado (Fast Diode)
- Isolamento Elétrico Integrado
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSM50GB120DN2 suporta?
O módulo IGBT BSM50GB120DN2 suporta uma tensão de Coletor: Emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM50GB120DN2?
A temperatura de operação (Tj) do BSM50GB120DN2 varia de -40 a +150 °C.
Quais as principais características do BSM50GB120DN2?
O BSM50GB120DN2 possui tecnologia IGBT NPT, baixa indutância de gate, baixa perda de condução e comutação, diodo de roda livre integrado (Fast Diode) e isolamento elétrico integrado.