Módulo IGBT Infineon BSM50GB120DN2
Procurando por um módulo IGBT de alta potência e confiabilidade para sua aplicação? Apresentamos o Infineon BSM50GB120DN2, um componente eletrônico de última geração que oferece desempenho excepcional e durabilidade incomparável.
Especificações Técnicas do Infineon BSM50GB120DN2
- Tecnologia: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
- Configuração: Meia Ponte
- Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 1200V
- Corrente do Coletor (IC): 50A
- Frequência de chaveamento: 20kHz
- Temperatura de junção: -40°C a 150°C
- Encapsulamento: EconoPACK™ 2
- Fabricante: Infineon Technologies
Aplicações do Módulo IGBT
O BSM50GB120DN2 é ideal para uma variedade de aplicações de alta potência, incluindo:
- Fontes de alimentação ininterruptas (UPS)
- Inversores solares
- Conversores de frequência
- Sistemas de acionamento de motores
- Soldagem
- Aquecimento por indução
Benefícios do Infineon BSM50GB120DN2
Este módulo IGBT oferece uma série de vantagens significativas:
- Alta eficiência: Perdas de condução e chaveamento reduzidas, resultando em menor consumo de energia e maior eficiência geral do sistema.
- Robustez e confiabilidade: Construído com materiais de alta qualidade e tecnologia avançada, o BSM50GB120DN2 garante operação confiável mesmo em condições exigentes.
- Excelente desempenho térmico: O encapsulamento EconoPACK™ 2 oferece excelente dissipação de calor, permitindo que o módulo opere em altas temperaturas sem comprometer o desempenho.
- Fácil integração: O design compacto e o layout otimizado dos pinos facilitam a integração em diversos projetos.
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