Infineon BSM50GAL120DN2

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência, parte da família EasyPACK™ 2B, projetado para aplicações de inversores solares e de energia.

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Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência, parte da família EasyPACK™ 2B, projetado para aplicações de inversores solares e de energia.

Especificações

Tensão de coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente de coletor contínua (Ic) 50 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Corrente de gate (Ig) 200 mA
Resistência térmica junção a-case (RthJC): 0.45 K/W
Package EasyPACK™ 2B
Configuração 3-fase inversor com freewheeling diode
Faixa de temperatura de operação -40 °C a +150 °C

Recursos

  • Tecnologia IGBT 4 de alta performance
  • Diodo de freewheeling integrado
  • Isolamento térmico
  • Baixas perdas de condução e chaveamento

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo BSM50GAL120DN2?

O BSM50GAL120DN2 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.

Qual a faixa de temperatura de operação do módulo?

A faixa de temperatura de operação do BSM50GAL120DN2 é de -40 °C a +150 °C.

Quais são as aplicações típicas do BSM50GAL120DN2?

O BSM50GAL120DN2 é projetado para aplicações de inversores solares e de energia, sendo um módulo de potência IGBT de alta eficiência da família EasyPACK™ 2B, com configuração de inversor trifásico com diodo de freewheeling.

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