Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 400 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 2.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.05 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de chaves | 2 |
| Temperatura de operação | -40 °C a 175 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão máxima de operação do BSM400GB120DN2?
A tensão de coletor-emissor (Vces) é de 1200 V, e a tensão de gate-emissor (Vge) é de ±20 V.
Quais as características térmicas do BSM400GB120DN2?
A resistência térmica junção-case (RthJC) é de 0.05 K/W, e a temperatura de operação varia de -40 °C a 175 °C.
Quais as principais características de performance do BSM400GB120DN2?
O módulo IGBT possui corrente de coletor contínua (Ic) de 400 A, tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) de 1.8 V (típico), corrente de gate (Ig) de 2.5 A, tecnologia IGBT 4, diodo de roda livre integrado e baixas perdas de condução e chaveamento. O encapsulamento é EconoDUAL™ 3, com 2 chaves.