Descrição
Módulo de potência Infineon BSM35GP120G, um transistor de potência IGBT com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de inversor e fonte de alimentação.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 35 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 20 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Tipo de Diodo | Roda Livre Rápido |
| Tensão de Isolamento | 2500 Vrms |
| Package | E-PACK (semelhante a SOT-227B) |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Aplicações | Inversores, Fontes de Alimentação, Controle de Motor |
FAQ
Qual o tipo de transistor do BSM35GP120G e qual sua principal função?
O BSM35GP120G é um IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações como inversores, fontes de alimentação e controle de motor.
Quais as especificações de corrente e tensão do BSM35GP120G?
O BSM35GP120G possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V. A corrente contínua de coletor (Ic) é de 35 A a 25°C e 20 A a 100°C. A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 2.2 V (típico).
Em quais condições de temperatura e tensão de isolamento o BSM35GP120G pode operar?
O BSM35GP120G opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C. Possui tensão de isolamento de 2500 Vrms.