Descrição
Módulo de potência Infineon BSM35GP120, um transistor de potência IGBT com diodo de roda livre integrado.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 35 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 20 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Tipo de Diodo | Roda Livre Rápido |
| Tensão de Isolamento (Viso) | 2500 Vrms |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de Transistores | 1 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual o tipo de transistor utilizado no BSM35GP120 e qual sua principal função?
O BSM35GP120 utiliza um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Este componente é ideal para chaveamento de alta potência, permitindo o controle eficiente de corrente em aplicações como inversores e conversores.
Quais as características de corrente e tensão do BSM35GP120?
O BSM35GP120 possui uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V. A corrente contínua do coletor (Ic) é de 35 A a 25°C e 20 A a 100°C. A tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) é de 2.2 V (típico).
Qual a faixa de temperatura de operação e outras características relevantes do BSM35GP120?
O BSM35GP120 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C. Ele possui um diodo de roda livre rápido integrado e tensão de isolamento (Viso) de 2500 Vrms. O encapsulamento é EconoDUAL™ 3.