Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo integrado, projetado para aplicações de alta eficiência e densidade de potência.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) a 100°C | 35 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)) a 35A, 25°C: 1.55 V |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.5 K/W |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de operação | -40°C a 175°C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 3-fase ponte retificadora com freewheeling diode |
Recursos
- Tecnologia IGBT 7
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixas perdas de condução e chaveamento
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do BSM35GD120DN2E3224?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do módulo é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM35GD120DN2E3224?
O BSM35GD120DN2E3224 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a 175°C.
Quais as características do diodo integrado no BSM35GD120DN2E3224 e sua configuração?
O módulo possui um diodo de roda livre integrado (Fast Diode) e sua configuração é de uma ponte retificadora trifásica com diodo de roda livre.