Módulo IGBT Infineon BSM35GD120DE3224
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Especificações Técnicas do Infineon BSM35GD120DE3224:
- Tecnologia: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
- Configuração: Ponte completa (Full Bridge)
- Tensão coletor-emissor (VCES): 1200V
- Corrente de coletor (IC): 35A
- Encapsulamento: Econo 2B
- Temperatura de junção (Tj): -40°C a 150°C
- Número de pinos: 7
- Aplicações: inversores de frequência, fontes de alimentação ininterruptas (no-breaks), acionamentos de motores, soldagem, aquecimento por indução e outras aplicações de alta potência.
Por que escolher o BSM35GD120DE3224?
O módulo BSM35GD120DE3224 da Infineon oferece alta performance e confiabilidade para suas aplicações de eletrônica de potência. Com uma tensão de bloqueio de 1200V e corrente de coletor de 35A, este IGBT é ideal para controlar cargas indutivas e capacitivas em uma variedade de aplicações industriais.
Sua configuração em ponte completa simplifica o design do circuito e reduz a quantidade de componentes necessários, tornando-o uma solução compacta e eficiente. Além disso, o encapsulamento Econo 2B garante excelente dissipação térmica e robustez, prolongando a vida útil do dispositivo.
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