Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia CoolSiC™ MOSFET, projetado para aplicações de alta eficiência em sistemas de energia.
Especificações
| Tecnologia | SiC MOSFET |
|---|---|
| Tensão nominal (Vds) | 1700 V |
| Corrente nominal (Id) | 300 A |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 2x Half-Bridge |
Recursos
- Baixa perda de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Resistência térmica otimizada
- Ideal para inversores solares, sistemas de armazenamento de energia e aplicações industriais
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no BSM300GA170DN2SE3256?
O BSM300GA170DN2SE3256 utiliza a tecnologia CoolSiC™ MOSFET.
Quais são as aplicações típicas do módulo de potência?
O BSM300GA170DN2SE3256 é ideal para inversores solares, sistemas de armazenamento de energia e aplicações industriais.
Qual a configuração do BSM300GA170DN2SE3256 e sua tensão nominal?
O módulo de potência BSM300GA170DN2SE3256 tem configuração 2x Half-Bridge e tensão nominal de 1700 V.