Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo freewheeling integrado, projetado para aplicações de alta potência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 300 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | ±200 mA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.12 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
Recursos
- Tecnologia IGBT NPT
- Diodo freewheeling integrado
- Baixa indutância de gate
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSM300GA120DN11 pode suportar?
A tensão do coletor-emissor (Vces) é de 1200 V.
Em quais aplicações o BSM300GA120DN11 é comumente utilizado?
O BSM300GA120DN11 é ideal para inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM300GA120DN11?
O BSM300GA120DN11 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.