Descrição
Transistor de potência IGBT de alta velocidade, encapsulado em SOT 227 (ISOPACK), projetado para aplicações de comutação.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) | 25 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icm) | 100 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | SOT-227 (ISOPACK) |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado
- Baixa Indutância de Gate
- Alta Densidade de Potência
FAQ
Qual o encapsulamento do BSM25GP120?
O BSM25GP120 é encapsulado em SOT-227 (ISOPACK).
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM25GP120?
A temperatura de operação (Tj) do BSM25GP120 varia de -40 a +150 °C.
Quais as características de proteção do BSM25GP120?
O BSM25GP120 possui Diodo de Ruptura Rápida Integrado.