Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia CoolSiC™ MOSFET, projetado para aplicações de alta eficiência e densidade de potência.
Especificações
| Tecnologia | SiC MOSFET |
|---|---|
| Tensão de Dreno | Fonte (Vds): 1200 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 25 A |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (RDS(on)): 42 mΩ (típico) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | Half-bridge |
| Temperatura de Operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores |
Recursos
- Diodo de Ruptura Rápida Integrado
- Baixa Indutância Parasita
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no BSM25GD120DN2 e quais seus benefícios?
O BSM25GD120DN2 utiliza a tecnologia CoolSiC™ MOSFET (SiC MOSFET), que possibilita alta eficiência e densidade de potência.
Quais as principais aplicações do módulo de potência BSM25GD120DN2?
O BSM25GD120DN2 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.
Quais são as características elétricas do BSM25GD120DN2?
O BSM25GD120DN2 possui tensão de dreno-fonte (Vds) de 1200 V, corrente de dreno contínua (Id) de 25 A, tensão de gate-source (Vgs) de ±20 V, resistência dreno-fonte (RDS(on)) de 42 mΩ (típico), além de um diodo de ruptura rápida integrado e baixa indutância parasita. Sua temperatura de operação varia de -40 °C a +150 °C. Sua configuração é half-bridge e o package é EconoDUAL™ 3.