Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Diodo de roda livre integrado
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo BSM200GB170DN2?
O módulo IGBT BSM200GB170DN2 da Infineon suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM200GB170DN2?
O BSM200GB170DN2 pode operar em uma faixa de temperatura de -40 °C a +150 °C.
Em quais aplicações o BSM200GB170DN2 é tipicamente utilizado?
O BSM200GB170DN2 é projetado para aplicações de inversor e conversor de energia, oferecendo alta densidade de potência, baixas perdas e um diodo de roda livre integrado.