Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1700 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 200 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixa indutância de gate
- Baixa perda de comutação
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSM200GB170DLC pode suportar?
O módulo BSM200GB170DLC da Infineon possui uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1700 V.
Em quais faixas de temperatura o BSM200GB170DLC pode operar?
O BSM200GB170DLC pode operar em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40 °C a +150 °C.
Quais são algumas das características do BSM200GB170DLC?
O BSM200GB170DLC possui tecnologia IGBT 4, baixa indutância de gate, baixa perda de comutação, alta densidade de potência e isolamento térmico integrado.