Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de alta potência.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação industriais, acionamentos de motores |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
- Baixa indutância de chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico otimizado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do BSM200GB120DN2?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do BSM200GB120DN2 é de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência BSM200GB120DN2?
O BSM200GB120DN2 é tipicamente utilizado em inversores solares, fontes de alimentação industriais e acionamentos de motores.
Quais as características do diodo de roda livre integrado ao BSM200GB120DN2?
O BSM200GB120DN2 possui um diodo de roda livre integrado (Fast Diode).