Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de acionamento de motores e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão de coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 200 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 400 A |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
- Isolamento térmico integrado
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor do BSM200GB120DLC?
A tensão de coletor-emissor (Vces) do BSM200GB120DLC é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM200GB120DLC?
A temperatura de operação (Tj) do BSM200GB120DLC varia de -40 a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do BSM200GB120DLC?
O BSM200GB120DLC é projetado para aplicações de acionamento de motores e fontes de alimentação. Ele possui baixa perdas de condução e chaveamento, alta densidade de potência e isolamento térmico integrado, utilizando a tecnologia IGBT 4.