Descrição
Módulo de potência Infineon CoolGaN™ com tecnologia GaN HEMT, projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | Gallium Nitride (GaN) HEMT |
|---|---|
| Tensão Máxima de Dreno | Fonte (Vds): 1200 V |
| Corrente Contínua de Dreno (Id) | 200 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 20 mΩ (típico) |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EiceDRIVE 2ED21804 |
| Aplicações | Fontes de alimentação de alta densidade, inversores solares, carregadores de veículos elétricos |
Recursos
- Baixa indutância de gate
- Alta eficiência em altas frequências
- Construção robusta para aplicações industriais
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no BSM200GAL120DN2?
O BSM200GAL120DN2 utiliza a tecnologia Gallium Nitride (GaN) HEMT.
Quais as aplicações típicas do BSM200GAL120DN2?
O BSM200GAL120DN2 é projetado para aplicações como fontes de alimentação de alta densidade, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM200GAL120DN2?
A temperatura de operação do BSM200GAL120DN2 varia de -40 °C a 150 °C.