Descrição
Módulo de potência Infineon com tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4, projetado para aplicações de alta potência.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT4 |
|---|---|
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1700 V |
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.2 A |
| Temperatura de operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Configuração | 6-pack |
| Diodo de roda livre integrado | Sim |
| Aplicações | Inversores solares, acionamentos de motores, fontes de alimentação |
| Resistência térmica junção | a-caixa (RthJC): 0.15 K/W |
FAQ
Qual a tecnologia utilizada no módulo de potência BSM200GA170DN2S?
O BSM200GA170DN2S utiliza a tecnologia TRENCHSTOP™ IGBT4.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM200GA170DN2S?
A temperatura de operação (Tj) do BSM200GA170DN2S varia de -40 a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo BSM200GA170DN2S?
O BSM200GA170DN2S é projetado para aplicações como inversores solares, acionamentos de motores e fontes de alimentação.