Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo freewheeling integrado, projetado para aplicações de alta potência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 200 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Corrente de pico do coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 1.5 µA |
| Resistência térmica junção | case (RthJC): 0.35 K/W |
| Temperatura de operação da junção | -40 °C a +150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Número de componentes | 6 |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motores industriais |
Recursos
- Tecnologia IGBT Trench/Fieldstop
- Diodo freewheeling integrado (Fast Diode)
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo BSM200GA120DN2?
O módulo de potência BSM200GA120DN2 suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o BSM200GA120DN2 é comumente utilizado?
O BSM200GA120DN2 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motores industriais.
Qual a faixa de temperatura de operação da junção do BSM200GA120DN2?
A temperatura de operação da junção do BSM200GA120DN2 varia de -40 °C a +150 °C.