Descrição
Módulo de potência Infineon BSM15GP120, um transistor de potência de alta eficiência com diodo de roda livre integrado.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Diodo de Roda Livre Integrado | Sim |
| Package | E-PACK |
| Número de Transistores | 1 |
| Temperatura de Operação | -40 °C a 150 °C |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores, controle de motor |
FAQ
Qual o tipo de transistor utilizado no módulo BSM15GP120?
O módulo BSM15GP120 utiliza um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM15GP120?
O BSM15GP120 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Quais as aplicações típicas do módulo de potência BSM15GP120?
O BSM15GP120 é comumente utilizado em aplicações como fontes de alimentação, inversores e controle de motor.