Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 150 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 450 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 150 A, 25°C: 1.75 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 4800 pF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 550 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Cres) | 150 pF |
| Resistência Térmica Junção | Caso (RthJC): 0.2 K/W |
| Temperatura de Operação da Junção (Tj) | -40°C a +175°C |
| Package | TO-247-3 |
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSM150GT120DN2 pode suportar?
A tensão Coletor: Emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM150GT120DN2?
A temperatura de operação da junção (Tj) varia de -40°C a +175°C.
Quais são as principais características elétricas do BSM150GT120DN2?
O BSM150GT120DN2 possui corrente contínua de coletor (Ic) de 150 A a 100°C, corrente pulsada de coletor (Icm) de 450 A, tensão de saturação coletor: emissor (Vce(sat)) de 1.75 V a 150 A e 25°C, e tensão de gate: emissor (Vge) de ±20 V.