Descrição
Módulo de potência Infineon BSM10GP120, um transistor de potência IGBT com diodo.
Especificações
| Tipo de Transistor | IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 10 A |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.2 V (típico) |
| Corrente de Pico de Coletor (Icm) | 30 A |
| Temperatura de Operação | -40°C a 150°C |
| Package | E-PACK |
Recursos
- Com diodo integrado
- Baixa perda de condução e chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual o encapsulamento do BSM10GP120?
O BSM10GP120 utiliza o package E-PACK.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM10GP120?
O BSM10GP120 pode operar em temperaturas de -40°C a 150°C.
Qual a corrente contínua e a corrente de pico que o BSM10GP120 suporta?
A corrente contínua de coletor (Ic) é de 10 A, e a corrente de pico de coletor (Icm) é de 30 A.