Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de alta frequência e alta eficiência.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 10 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.7 V |
| Package | E-PACK 2 |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, acionamentos de motor |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
Recursos
- Tecnologia IGBT
- Diodo de roda livre integrado
- Baixa indutância de chaveamento
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual a tensão máxima que o BSM10GD120DN2E32 suporta?
O BSM10GD120DN2E32 suporta uma tensão coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Quais são as aplicações típicas do BSM10GD120DN2E32?
O BSM10GD120DN2E32 é ideal para aplicações como fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM10GD120DN2E32?
O BSM10GD120DN2E32 opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.