Infineon BSM10GD120DN2

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Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

SKU: BSM10GD120DN2 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor de energia.

Especificações

Tensão de coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente de coletor contínua (Ic) a 100°C 10 A
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.7 V (típico)
Package EconoDUAL™ 3
Configuração Half-bridge
Temperatura de operação -40°C a +150°C
Aplicações Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta eficiência
  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
  • Baixa indutância de chaveamento

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor do BSM10GD120DN2?

A tensão de coletor-emissor (Vces) do BSM10GD120DN2 é de 1200 V.

Em quais aplicações o BSM10GD120DN2 é tipicamente utilizado?

O BSM10GD120DN2 é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.

Qual a faixa de temperatura de operação do BSM10GD120DN2?

O BSM10GD120DN2 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +150°C.

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