Descrição
Módulo de potência Infineon IGBT com diodo de roda livre, projetado para aplicações de inversor e conversor.
Especificações
| Tensão do coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente contínua do coletor (Ic) | 100 A |
| Tensão de saturação do coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de gate (Ig) | 200 nA |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
| Montagem | Screw terminals |
| Faixa de temperatura de operação | -40 °C a +150 °C |
| Aplicações | Inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), acionamentos de motor |
Recursos
- Tecnologia IGBT de alta performance
- Diodo de roda livre integrado com baixa perda de condução
- Baixa indutância interna
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada por este módulo?
O módulo Infineon BSM100GB120DN2K suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais aplicações o BSM100GB120DN2K é comumente utilizado?
Este módulo é projetado para aplicações como inversores solares, fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e acionamentos de motor.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSM100GB120DN2K?
A faixa de temperatura de operação do BSM100GB120DN2K é de -40 °C a +150 °C.