Infineon BSM-100GD120DN2 SKU BSM-100GD120DN2

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Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.

SKU: BSM-100GD120DN2 Categoria: Tag:

Descrição

Módulo de potência IGBT de alta eficiência com diodo de roda livre integrado, projetado para aplicações de acionamento de motor e fontes de alimentação.

Especificações

Tensão de coletor emissor (Vces): 1200 V
Corrente de coletor contínua (Ic) 100 A
Tensão de gate emissor (Vge): ±20 V
Tensão de saturação coletor emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico)
Resistência térmica junção case (RthJC): 0.35 K/W
Package EconoDUAL™ 3
Temperatura de operação -40 °C a +150 °C
Aplicações Acionamento de motor, fontes de alimentação industriais, inversores solares

Recursos

  • Tecnologia IGBT de alta performance
  • Diodo de roda livre integrado (Fast Diode)
  • Baixas perdas de condução e chaveamento
  • Isolamento galvânico

FAQ

Qual a tensão de coletor-emissor do BSM-100GD120DN2?

A tensão de coletor-emissor (Vces) do BSM-100GD120DN2 é de 1200 V.

Quais as aplicações típicas do módulo de potência BSM-100GD120DN2?

As aplicações típicas do BSM-100GD120DN2 incluem acionamento de motor, fontes de alimentação industriais e inversores solares.

Qual a faixa de temperatura de operação do BSM-100GD120DN2?

A temperatura de operação do BSM-100GD120DN2 varia de -40 °C a +150 °C.

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