Infineon BSC252N10NSFGATMA1: MOSFET de Potência de Alta Performance
Procurando por um MOSFET de potência que ofereça desempenho excepcional e eficiência energética para suas aplicações? Apresentamos o Infineon BSC252N10NSFGATMA1, um transistor MOSFET de canal N de última geração que combina alta capacidade de corrente, baixa resistência e chaveamento rápido em um pacote compacto.
Especificações Técnicas do BSC252N10NSFGATMA1
- Tipo de Canal: N-Channel
- Tensão de Ruptura Dreno-Fonte (VDSS): 100V
- Corrente de Dreno Contínua (ID): 7.2A (Ta), 40A (Tc)
- Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): Típico 7.8mΩ @ VGS = 10V
- Carga de Porta Total (Qg(tot)): Típico 20nC
- Dissipação de Potência (Ptot): 78W (Tc)
- Temperatura de Operação (Tj): -55°C a +150°C
- Encapsulamento: PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5×6)
Características e Benefícios
O Infineon BSC252N10NSFGATMA1 é projetado para atender às demandas de uma ampla gama de aplicações, incluindo:
- Conversores DC-DC
- Fontes de Alimentação Chaveadas (SMPS)
- Gerenciamento de Bateria
- Controladores de Motor
- Aplicações Automotivas
Este MOSFET de potência oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha ideal para seus projetos:
- Baixa Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
- Alta Capacidade de Corrente: Permite o controle de cargas de alta potência.
- Chaveamento Rápido: Reduz as perdas de chaveamento e melhora o desempenho geral.
- Pacote Compacto: Economiza espaço na placa de circuito impresso.
- Operação Confiável: Suporta altas temperaturas e condições ambientais adversas.
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