Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 25A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TDSON 8.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 25 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 5.2 mOhm a 4.5V Vgs |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
| AEC Q101 | Sim |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon BSC252N10NSFGATMA1?
O transistor Infineon BSC252N10NSFGATMA1 possui encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do MOSFET BSC252N10NSFGATMA1?
A temperatura de operação do MOSFET BSC252N10NSFGATMA1 varia de -55°C a 150°C.
O transistor BSC252N10NSFGATMA1 atende aos requisitos de proteção ambiental e automotiva?
Sim, o BSC252N10NSFGATMA1 é RoHS, Halogen Free e possui qualificação AEC Q101.