Descrição
Transistor MOSFET de canal N de baixa tensão, otimizado para aplicações de gerenciamento de energia automotiva.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 9.8 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V |
| Corrente Gate | Source (Ig): ±200 nA |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
| AEC Q101 | Qualificado |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET BSC100N06LS3G suporta?
A tensão Drain: Source (Vds) máxima é de 60 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do BSC100N06LS3G?
O BSC100N06LS3G opera entre -55 °C e 175 °C.
Quais as certificações de conformidade do BSC100N06LS3G?
O BSC100N06LS3G é qualificado pela AEC Q101, é compatível com RoHS e é Halogen Free.