Infineon BSC093N04LSGATMA1 – MOSFET de Alta Eficiência
O Infineon BSC093N04LSGATMA1 é um MOSFET de canal N projetado para aplicações que exigem eficiência energética, desempenho confiável e uma excelente relação custo-benefício. Este componente é amplamente utilizado em circuitos de alimentação e conversores de tensão, oferecendo suporte ideal para engenheiros e desenvolvedores de projetos eletrônicos.
Especificações Técnicas
O Infineon BSC093N04LSGATMA1 destaca-se por suas especificações otimizadas para alta performance em diferentes contextos. Confira os principais detalhes técnicos:
- Tensão de Drain-Source (VDS): 40V
- Corrente Contínua (ID): até 120A
- Resistência RDS(on): 9.3mΩ (máximo)
- Capacitância de Entrada (Ciss): 2480 pF
- Temperatura de Operação: -55°C a 175°C
- Pacote: SuperSO8, compacto e ideal para layouts otimizados
Vantagens do MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1
Escolher o Infineon BSC093N04LSGATMA1 em projetos eletrônicos traz diversos benefícios que garantem alta eficiência e durabilidade. Entre as principais vantagens, destacam-se:
- Baixa resistência RDS(on), reduzindo perdas de potência e melhorando a eficiência geral.
- Excelente desempenho térmico, suportando condições de alta temperatura sem comprometer a operação.
- Design compacto que facilita a integração em placas de circuito com espaço limitado.
- Confiabilidade comprovada em aplicações industriais, automotivas e de consumo.
Aplicações Típicas
O Infineon BSC093N04LSGATMA1 é ideal para diversas aplicações eletrônicas, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS).
- Conversores DC-DC de alta eficiência.
- Circuitos de controle em motores elétricos.
- Sistemas automotivos de gerenciamento de energia.
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