Descrição
Transistor MOSFET de canal N, 100V, 60A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e otimizado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 100 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 60 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 6 mOhm (a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (a Id=250uA) |
| Corrente Drain Pulsada (Id, pulse) | 240 A |
| Potência Dissipada (Ptot) | 150 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
| Package | PG-TDSON-8 |
| RoHS | Sim |
| Halogen Free | Sim |
FAQ
Qual a temperatura de operação do MOSFET BSC060N10NS3GXT?
O transistor MOSFET BSC060N10NS3GXT opera em temperaturas que variam de -55°C a 175°C.
Qual a tensão máxima que o MOSFET BSC060N10NS3GXT pode suportar no Drain?
A tensão Drain:Source (Vds) do MOSFET BSC060N10NS3GXT é de 100 V.
Qual a resistência de condução (RDS(on)) do BSC060N10NS3GXT e em quais condições ela é medida?
A resistência Drain: Source (RDS(on)) do BSC060N10NS3GXT é de 6 mOhm, medida com uma tensão Gate: Source (Vgs) de 10V.