Infineon BFN19E6327: Transistor Bipolar de RF para Aplicações de Alta Frequência

O Infineon BFN19E6327 é um transistor bipolar de RF NPN de silício projetado para aplicações de alta frequência, como amplificadores de baixo ruído, osciladores e misturadores. Este dispositivo oferece excelente desempenho em termos de ganho, figura de ruído e linearidade, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações em comunicações sem fio, radiodifusão e sistemas industriais.

Características Principais do BFN19E6327

• Frequência de Transição (fT): 12 GHz, garantindo operação em altas frequências.
• Baixa Figura de Ruído (NF): 1.2 dB a 1 GHz, ideal para amplificadores de baixo ruído.
• Alta Linearidade: Excelente desempenho em termos de intermodulação, crucial para aplicações de comunicação.
• Baixa Capacitância de Coletor-Base (Ccb): 0.25 pF, contribuindo para a estabilidade em altas frequências.
• Encapsulamento PG-SOT23-3: Compacto e fácil de integrar em projetos com restrições de espaço.

Aplicações Típicas

O transistor BFN19E6327 da Infineon é adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

• Amplificadores de Baixo Ruído (LNA) para receptores de rádio e televisão.
• Osciladores de RF para comunicação sem fio.
• Misturadores de frequência em sistemas de comunicação.
• Amplificadores de potência de RF para transmissores de baixa potência.
• Circuitos de controle de ganho automático (AGC).

Especificações Técnicas Detalhadas

Para informações mais detalhadas sobre as especificações elétricas, limites operacionais e características do encapsulamento, consulte a folha de dados do Infineon BFN19E6327.

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Observação: As informações fornecidas aqui são apenas para fins informativos. Consulte a folha de dados oficial da Infineon para obter as especificações completas e mais atualizadas do produto BFN19E6327.

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