Descrição
Transistor de efeito de campo de metal óxido semicondutor de potência (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta frequência.
Especificações
| Tipo de Transistor | N-channel MOSFET |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 10 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 13 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | Surface Mount |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,puls) | 40 A |
| Carga de Gate (Qg) | 15 nC a Vgs = 10 V |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 5 ns |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BFN19E6327 e como ele é montado?
O BFN19E6327 utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8 e é montado em superfície (Surface Mount).
Quais as temperaturas de operação do BFN19E6327?
O BFN19E6327 opera em temperaturas que variam de -55 °C a 150 °C.
Quais são as principais características elétricas do BFN19E6327?
O BFN19E6327 é um MOSFET de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 60 V, corrente de Drain contínua (Id) de 10 A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 13 mΩ a Vgs = 10 V, e corrente de Drain pulsada (Id,puls) de 40 A. Sua carga de gate (Qg) é 15 nC (a Vgs = 10 V), e seus tempos de subida e descida são, respectivamente, 10 ns e 5 ns.