Descrição
O Infineon BDP949 é um transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação eficientes em fontes de alimentação e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.2 mOhm @ Vgs = 10V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Gate Charge (Qg) | 35 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 100 pF |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BDP949?
O Infineon BDP949 utiliza o encapsulamento PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BDP949?
O BDP949 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 150 °C.
Qual a tensão Drain-Source máxima e a corrente contínua de Drain do BDP949?
A tensão Drain-Source máxima do BDP949 é de 60 V, e sua corrente contínua de Drain (Id) é de 100 A.