Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação eficientes em fontes de alimentação e gerenciamento de energia.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal N |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 100 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 4.1 mOhm a 10V |
| Tensão de Threshold (Vgs(th)) | 2.5 V (typ.) |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Package | PG-TDSON-8 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | Surface-Mount Device (SMD) |
| Aplicações | Gerenciamento de energia, fontes de alimentação chaveadas, automotivo |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do BDP947H6327XTSA1?
O BDP947H6327XTSA1 utiliza o encapsulamento Surface-Mount Device (SMD) no package PG-TDSON-8.
Qual a faixa de temperatura de operação do BDP947H6327XTSA1?
O BDP947H6327XTSA1 opera em temperaturas que variam de -55 °C a 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do BDP947H6327XTSA1?
As aplicações típicas do BDP947H6327XTSA1 incluem gerenciamento de energia, fontes de alimentação chaveadas e aplicações automotivas.