Infineon BCW67B

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O Infineon BCW67B é um transistor bipolar PNP de baixo ruído, encapsulado em SOT-23, projetado para aplicações de amplificação e comutação de sinais pequenos.

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Descrição

O Infineon BCW67B é um transistor bipolar PNP de baixo ruído, encapsulado em SOT 23, projetado para aplicações de amplificação e comutação de sinais pequenos.

Especificações

Tipo de Transistor PNP
Tensão Máxima Coletor Base (Vcbo): 50 V
Tensão Máxima Emissor Base (Vebo): 5 V
Corrente Máxima de Coletor (Ic) 800 mA
Corrente Máxima de Coletor Pulsada (Icm) 1 A
Corrente Máxima de Base (Ib) 100 mA
Potência Máxima de Dissipação (Pd) 625 mW
Ganho de Corrente DC (hFE) 100 a 250 (dependendo do tipo)
Frequência de Transição (fT) 100 MHz
Encapsulamento SOT-23
Temperatura de Operação -55 °C a +150 °C

Recursos

  • Baixo Ruído

FAQ

Qual o encapsulamento do transistor BCW67B?

O transistor BCW67B possui encapsulamento SOT-23.

Qual a faixa de temperatura de operação do BCW67B?

O BCW67B pode operar em temperaturas de -55 °C a +150 °C.

Quais as aplicações típicas do BCW67B?

O Infineon BCW67B é projetado para aplicações de amplificação e comutação de sinais pequenos, e se destaca por ser um transistor de baixo ruído.

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