Descrição
O Infineon BCR555E6327 é um transistor bipolar de junção (BJT) de baixo ruído, projetado para aplicações de amplificação de sinal em RF e áudio.
Especificações
| Tipo de Transistor | NPN |
|---|---|
| Tensão Máxima Coletor | Emissor (Vceo): 30 V |
| Corrente Máxima de Coletor (Ic) | 100 mA |
| Potência Máxima de Dissipação (Pd) | 300 mW |
| Ganho de Corrente DC (hFE) | 100 a 300 |
| Frequência de Transição (fT) | 10 GHz |
| Ruído Máximo de Saída (NF) | 1 dB |
| Encapsulamento | SOT-23 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
Recursos
- Baixo ruído
- Alta frequência de transição
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon BCR555E6327?
O Infineon BCR555E6327 é encapsulado em SOT-23.
Qual a faixa de temperatura de operação do BCR555E6327?
O BCR555E6327 opera em temperaturas de -55 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do BCR555E6327?
O BCR555E6327 é projetado para aplicações de amplificação de sinal em RF e áudio, beneficiando-se do seu baixo ruído e alta frequência de transição.