Infineon BAS70-04

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Diodo Schottky de alta velocidade em encapsulamento SOT-23, projetado para aplicações de comutação.

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Descrição

Diodo Schottky de alta velocidade em encapsulamento SOT 23, projetado para aplicações de comutação.

Especificações

Tipo de Diodo Schottky
Tensão Reversa Máxima (Vrrm) 70 V
Corrente Direta Média (IF(AV)) 200 mA
Corrente de Pico (IFSM) 500 mA
Tensão Direta Máxima (Vf) 1 V a 200 mA
Corrente de Fuga Reversa (Ir) 1 µA a 70 V
Encapsulamento SOT-23
Configuração Diodo Duplo, Cátodo Comum
Tempo de Recuperação Reversa Muito Baixo
Temperatura de Operação -55 °C a 150 °C

FAQ

Qual o encapsulamento do diodo Infineon BAS70-04?

O diodo Infineon BAS70-04 é encapsulado em SOT-23.

Qual a faixa de temperatura de operação do BAS70-04?

O BAS70-04 opera em temperaturas que variam de -55 °C a 150 °C.

Quais as características elétricas principais do BAS70-04?

O BAS70-04 é um diodo Schottky com tensão reversa máxima (Vrrm) de 70 V, corrente direta média (IF(AV)) de 200 mA, e tensão direta máxima (Vf) de 1 V a 200 mA. Possui corrente de pico (IFSM) de 500 mA e corrente de fuga reversa (Ir) de 1 µA a 70 V.

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